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3.0SMCJ43C

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 43V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小113KB,共3页
制造商MDE Semiconductor
官网地址http://www.mdesemiconductor.com
标准  
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3.0SMCJ43C概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 43V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

3.0SMCJ43C规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称MDE Semiconductor
零件包装代码DO-214AB
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED
最大击穿电压52.8 V
最小击穿电压47.8 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散3000 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压43 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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