datasheet
电子工程世界电子工程世界电子工程世界
Datasheet
型号

关键词

搜索
关键词

型号

搜索
Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> CAT24C21Z-TE13
PDF数据手册
文档预览

CAT24C21Z-TE13

产品描述EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD AND HALOGEN FREE, MSOP-8
产品类别存储    存储   
文件大小75KB，共11页
制造商Catalyst
官网地址http://www.catalyst-semiconductor.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

CAT24C21Z-TE13概述

EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD AND HALOGEN FREE, MSOP-8

CAT24C21Z-TE13规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Catalyst
零件包装代码MSOP
包装说明TSSOP, TSSOP8,.19
针数8
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
数据保留时间-最小值100
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010XXXR
JESD-30 代码S-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度3 mm
内存密度1024 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数128 words
字数代码128
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128X8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP8,.19
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）260
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.1 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流9e-7 A
最大压摆率0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度3 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
CAT24C21
1-kb Dual Mode Serial EEPROM for VESA™ "Plug-and-Play"
FEATURES
s
DDC1
TM
/DDC2
TM
interface compliant for
s
Low power CMOS technology
s
1,000,000 program/erase cycles
s
100 year data retention
H
GEN
FR
ALO
EE
LE
A
D
F
R
E
E
TM
monitor identification
s
400 kHz I C bus compatible*
s
2.5 to 5.5 volt operation
s
16-byte page write buffer
s
Hardware write protect
2
s
8-pin DIP, SOIC, TSSOP, MSOP or TDFN
packages
s
Industrial temperature range
DESCRIPTION
The CAT24C21 is a 1-kb Serial CMOS EEPROM
internally organized as 128 words of 8 bits each. The
device complies with the Video Electronics Standard
Association's (VESA™), Display Data Channel (DDC™)
standards for "Plug-and-Play" monitors. The "transmit-
only" mode (DDC1™) is controlled by the VCLK clock
input and the "bi-directional" mode (DDC2™) is controlled
by the SCL clock input, with both modes sharing a
common SDA input/output (I/O). The transmit-only mode
is a read-only mode, while the bi-directional mode is a
read and write mode following the I
2
C protocol. In write
mode the CAT24C21 features a 16-byte page write
buffer. The device is available in 8-in DIP, SOIC, TSSOP,
MSOP and TDFN packages.
PIN CONFIGURATION
DIP Package (P, L)
NC
NC
NC
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
VCLK
SCL
SDA
FUNCTIONAL SYMBOL
SOIC Package (J, W)
NC
NC
NC
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
VCLK
SCL
SDA
SCL
VCC
CAT24C21
SDA
MSOP Package (R, Z)
NC
NC
NC
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
VCLK
SCL
SDA
TDFN Package (RD4, ZD4)
VCLK
NC
1
NC
2
NC
3
VSS
4
8
VCC
7
VCLK
6
SCL
5
SDA
VSS
3 mm x 3 mm
Top View
PIN FUNCTIONS
Pin Name
NC
SDA
SCL
VCLK
V
CC
Function
No Connect
Serial Data/Address
Serial Clock (bi-directional mode)
Serial Clock (transmit-only mode)
Power Supply
Ground
TSSOP Package (U, Y)
NC
NC
NC
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
VCLK
SCL
SDA
* Catalyst Semiconductor is licensed by Philips Corporation to carry the I
2
C Bus
Protocol.
V
SS
© 2003 by Catalyst Semiconductor, Inc.
Characteristics subject to change without notice
1
Doc. No. 1032, Rev. L

CAT24C21Z-TE13相似产品对比

CAT24C21Z-TE13 CAT24C21U-TE13 CAT24C21Y-TE13 CAT24C21R-TE13 CAT24C21W-TE13 CAT24C21ZD4-TE13 CAT24C21L CAT24C21J-TE13 CAT24C21P CAT24C21RD4-TE13
描述 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD AND HALOGEN FREE, MSOP-8 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD AND HALOGEN FREE, TSSOP-8 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, MSOP-8 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD AND HALOGEN FREE, SOIC-8 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, 3 X 3 MM, LEAD AND HALOGEN FREE, TDFN-8 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDIP8, LEAD AND HALOGEN FREE, PLASTIC, DIP-8 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, SOIC-8 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, 3 X 3 MM, TDFN-8
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 不符合 符合 符合 符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Catalyst Catalyst Catalyst Catalyst Catalyst Catalyst Catalyst Catalyst Catalyst Catalyst
零件包装代码 MSOP SOIC SOIC MSOP SOIC DFN DIP SOIC DIP DFN
包装说明 TSSOP, TSSOP8,.19 TSSOP, TSSOP8,.25 TSSOP, TSSOP8,.25 TSSOP, TSSOP8,.19 SOP, SOP8,.25 VSON, SOLCC8,.12,25 DIP, DIP8,.3 SOP, SOP8,.25 DIP, DIP8,.3 VSON, SOLCC8,.12,25
针数 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz 0.4 MHz
数据保留时间-最小值 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节 1010XXXR 1010XXXR 1010XXXR 1010XXXR 1010XXXR 1010XXXR 1010XXXR 1010XXXR 1010XXXR 1010XXXR
JESD-30 代码 S-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 S-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-XDSO-N8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 R-XDSO-N8
JESD-609代码 e3 e0 e3 e0 e3 e3 e3 e0 e0 e0
长度 3 mm 4.4 mm 4.4 mm 3 mm 4.9 mm 4.9 mm 9.59 mm 4.9 mm 9.59 mm 4.9 mm
内存密度 1024 bi 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8 8 8 8 8 8
字数 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words
字数代码 128 128 128 128 128 128 128 128 128 128
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 128X8 128X8 128X8 128X8 128X8 128X8 128X8 128X8 128X8 128X8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED
封装代码 TSSOP TSSOP TSSOP TSSOP SOP VSON DIP SOP DIP VSON
封装等效代码 TSSOP8,.19 TSSOP8,.25 TSSOP8,.25 TSSOP8,.19 SOP8,.25 SOLCC8,.12,25 DIP8,.3 SOP8,.25 DIP8,.3 SOLCC8,.12,25
封装形状 SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度（摄氏度） 260 240 260 240 260 260 260 240 240 240
电源 3/5 V 3/5 V 3/5 V 3/5 V 3/5 V 3/5 V 3/5 V 3/5 V 3/5 V 3/5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.1 mm 1.1 mm 1.1 mm 1.1 mm 1.75 mm 0.8 mm 4.57 mm 1.75 mm 4.57 mm 0.8 mm
串行总线类型 I2C I2C I2C I2C I2C I2C I2C I2C I2C I2C
最大待机电流 9e-7 A 9e-7 A 9e-7 A 9e-7 A 9e-7 A 9e-7 A 9e-7 A 9e-7 A 9e-7 A 9e-7 A
最大压摆率 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA 0.002 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES NO YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 MATTE TIN Tin/Lead (Sn/Pb) MATTE TIN Tin/Lead (Sn/Pb) MATTE TIN MATTE TIN MATTE TIN Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING NO LEAD THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE NO LEAD
端子节距 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 1.27 mm 0.65 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 30 40 30 40 40 40 30 30 30
宽度 3 mm 3 mm 3 mm 3 mm 3.9 mm 3 mm 7.62 mm 3.9 mm 7.62 mm 3 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms
是否无铅 不含铅 含铅 不含铅 含铅 不含铅 - - 含铅 - -
湿度敏感等级 1 1 1 1 - 1 - - - 1

推荐资源

基于SPAD SiPM技术的激光雷达解析

电容测量电路c

录音机至微型计算视转接电路

稳压电源增设过压保护电路实例

电脑主板电路图 815 2_04

我使用pwm，按照例程写了程序，但是有问题
TBCCR0 = 4096-1; // PWM Period TBCCTL4 = OUTMOD_7; // CCR4 reset/set TBCCR4 = 512; // CCR4 PW ......
shzps 微控制器 MCU
K60 PDB KEIL编程
1.各位高手，想请教一下，可编程延迟模块PDB所谓的延时是针对于什么延时？应该是分ADC，DAC模块而不同的是吗？那针对于不同的操作模块，他又是对哪一步操作进行延时呢？ 2. PDB0->SC = P ......
Monkey嘭嘭 NXP MCU
注册表中IRQ该添加多少?
#define AT91C_ID_IRQ1 ((unsigned int) 30) // Advanced Interrupt Controller (IRQ1) 我用的是IRQ1,IRQ1定义为上. 那我注册表中的IRQ添加多少呢? 1E 还是30? 我试了1E不行啊!...
洗了八吨水 嵌入式系统
半导体二极管的选用准则(cqcwc）
二极管的选用准则(cqcwc)电路设计中二极管选用准则1.根据电路功能的选用:高频检波电路应选用锗检波二极管,它的特点是工件频率高,正向压降小和结电容小,2AP11~17用于40M以下,2AP9~10用于100M以下 ......
fighting 模拟电子
请问有没有人使用过AMIS-30543驱动过步进电机啊
AMIS-30543驱动步进电机的PWM的频率是固定的吗？如何进行电流检测？ 反电动势输出引脚有什么作用？ ...
沈婷婷 电机控制
Uart_GetIntNum()的问题！
一个简单程序 y=Uart_GetIntNum(); Uart_Printf("%d",y); 比如我在超级终端输入233 返回却是2 这是怎么回事啊？ ...
FSDAFSDAFTERT 嵌入式系统
器件捷径:   00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

  1. 2200RA1G50823LA
  2. RNR55E5423BRM76
  3. 7247ZADU702U1210-U1022
  4. LES10A48-5V0RE
  5. 77311-5AG-25
  6. SA5341142T53ICT
  7. QESM49H32310JO30630.000MHZ
  8. PTN1005K2801FGT1
  9. BZQ55-C47
  10. 1N4695-35B
  11. A2010WVC-S-5P
  12. A2541HWV-31P-T

开源项目推荐更多

  1. REF194 升压型 3.3V 基准的典型应用电路，具有限流电压基准
  2. ADR391B 2.5 Vout 微功率、低噪声精密电压基准的典型应用
  3. TCR6DA1528、200mA、1.5V 和 2.8V 输出电压双路输出 CMOS 低压降稳压器的典型应用
  4. R_92_V10基于IPS2电机换向传感器的设计
  5. 具有 1.8V 和 ±5V 输出的 LT3506 降压型开关稳压器的典型应用电路
  6. LT1171IQ、2.5A 外部限流器的典型应用
  7. 用于计算机/外围设备的 DC 到 DC 单路输出电源
  8. LTC1706-19，具有可编程输出的高效率 SO-8、N 沟道开关稳压器
  9. AM2G-4818SZ 18V 2 瓦 DC/DC 转换器的典型应用
  10. 3相直流无刷电机驱动IC —— TC78B025FTG

热门活动更多

  1. 【有奖直播】TI 工业自动化与机器人功能安全解决方案线上研讨会
  2. 是德科技重磅新品发布会｜新一代无线测试利器VXT：开启 RF 与模拟 IQ 全链路测试
  3. 有奖直播 | 瑞萨 RA8T2 EtherCAT 双轴伺服控制方案
  4. 你晒单我买单2026第1期报名中，DigiKey得捷带您畅享好物！
  5. 免费申请《一本书讲透汽车功能安全：标准详解与应用实践》，挑战《ISO26262标准》共读，赢好礼
  6. 装备焕新月：e络盟Multicomp Pro系列产品，小投入，大升级 ―― 装备焕新惊喜体验
  7. MPS 机器人模块设计大赛报名重磅开启，锻造硬实力，让想法照进现实！
  8. 有奖直播：ADI BMS 硬件和软件设计指南
  10. 免费申请：红外定位摄像头SEN0158

热门文章更多

  1. 使用Keil MDK运行第一个STM32程序
  2. 泰晶科技上半年净利润为9550万元，同比增1725.8%
  3. 2021上半年全球智能手机CIS市场总收70亿美元
  4. 美国FCC将启动19亿美元计划 资助农村运营商排除华为和中兴
  5. 专利申请显示苹果可能已经解决了折叠式iPhone电池弯曲问题
  6. ATmega88 复位与中断处理
  7. IGBT厂商赛晶科技预期2021年净利同比大幅减少
  8. 常用MCU加密方法介绍
  9. AT91RM9200Linux移植笔记(二)-移植u-boot-1.1.6
  10. 06-S3C2440学习之移植2012u-boot到S3C2440(移植过程二)支持NAND启动

技术资料推荐更多

随便看看

  1. 我使用pwm，按照例程写了程序，但是有问题
  2. K60 PDB KEIL编程
  3. 注册表中IRQ该添加多少?
  4. 半导体二极管的选用准则(cqcwc）
  5. 请问有没有人使用过AMIS-30543驱动过步进电机啊
  6. Uart_GetIntNum()的问题！
  7. [GD32F350]第三弹：USART使用DMA+IDLE中断方式不定长字节数据收发
  8. PNP管发射极电压被基级拉低？
  9. 无线WiFi覆盖的基础知识
  10. 女生学嵌入式怎么样？？希望有经验人士给点建议

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关： 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2375  2270  2048  2911  214  48  46  42  59  5 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编：100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved