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IS64NLF12836EC-6.5B3LA3: 产品描述ZBT SRAM, 128KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, TFBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共40页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IS64NLF12836EC-6.5B3LA3概述

ZBT SRAM, 128KX36, 6.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, TFBGA-165

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	TBGA, BGA165,11X15,40
Reach Compliance Code	compli
最长访问时间	6.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
长度	15 mm
内存密度	4718592 bi
内存集成电路类型	ZBT SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端子数量	165
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	AEC-Q100
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.06 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.285 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	13 mm

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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