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IS61DDB42M18C-250M3

产品描述DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LFBGA-165
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文件大小624KB,共30页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS61DDB42M18C-250M3概述

DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LFBGA-165

IS61DDB42M18C-250M3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明LBGA,
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间0.45 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B165
长度17 mm
内存密度37748736 bi
内存集成电路类型DDR SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量165
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
座面最大高度1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)1.89 V
最小供电电压 (Vsup)1.71 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度15 mm

IS61DDB42M18C-250M3相似产品对比

IS61DDB42M18C-250M3 IS61DDB42M18C-250M3L IS61DDB41M36C-250M3 IS61DDB41M36C-300M3LI
描述 DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LFBGA-165 DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165 DDR SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LFBGA-165 DDR SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明 LBGA, LBGA, LBGA, LBGA,
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
JESD-30 代码 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165
长度 17 mm 17 mm 17 mm 17 mm
内存密度 37748736 bi 37748736 bi 37748736 bi 37748736 bi
内存集成电路类型 DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM DDR SRAM
内存宽度 18 18 36 36
功能数量 1 1 1 1
端子数量 165 165 165 165
字数 2097152 words 2097152 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 2000000 2000000 1000000 1000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 85 °C
组织 2MX18 2MX18 1MX36 1MX36
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LBGA LBGA LBGA LBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
座面最大高度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm
最大供电电压 (Vsup) 1.89 V 1.89 V 1.89 V 1.89 V
最小供电电压 (Vsup) 1.71 V 1.71 V 1.71 V 1.71 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 15 mm 15 mm 15 mm 15 mm
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