Synchronous DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-60
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | TBGA, BGA60,9X12,40/32 |
针数 | 60 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.7 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 166 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
交错的突发长度 | 2,4,8 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B60 |
JESD-609代码 | e1 |
长度 | 13 mm |
内存密度 | 268435456 bi |
内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 60 |
字数 | 16777216 words |
字数代码 | 16000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 16MX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TBGA |
封装等效代码 | BGA60,9X12,40/32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 2.5 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
连续突发长度 | 2,4,8 |
最大待机电流 | 0.025 A |
最大压摆率 | 0.25 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
宽度 | 8 mm |
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