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IC62LV51216L-55BI

产品描述Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 8 X 10 MM, TFBGA-48
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文件大小144KB,共12页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IC62LV51216L-55BI概述

Standard SRAM, 512KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 8 X 10 MM, TFBGA-48

IC62LV51216L-55BI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明8 X 10 MM, TFBGA-48
Reach Compliance Codecompli
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
内存密度8388608 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量48
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA48,6X8,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00003 A
最小待机电流1.5 V
最大压摆率0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
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