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HCTS10D/SAMPLE

产品描述NAND Gate, HCT Series, 3-Func, 3-Input, CMOS, CDIP14
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小207KB,共8页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
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HCTS10D/SAMPLE概述

NAND Gate, HCT Series, 3-Func, 3-Input, CMOS, CDIP14

HCTS10D/SAMPLE规格参数

参数名称属性值
厂商名称Harris
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
系列HCT
JESD-30 代码R-CDIP-T14
逻辑集成电路类型NAND GATE
功能数量3
输入次数3
端子数量14
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
传播延迟(tpd)24 ns
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL

HCTS10D/SAMPLE相似产品对比

HCTS10D/SAMPLE HCTS10KMSR HCTS10HMSR HCTS10K/SAMPLE
描述 NAND Gate, HCT Series, 3-Func, 3-Input, CMOS, CDIP14 NAND Gate, HCT Series, 3-Func, 3-Input, CMOS, CDFP14 NAND Gate, HCT Series, 3-Func, 3-Input, CMOS NAND Gate, HCT Series, 3-Func, 3-Input, CMOS, CDFP14
厂商名称 Harris Harris Harris Harris
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknow
系列 HCT HCT HCT HCT
JESD-30 代码 R-CDIP-T14 R-CDFP-F14 X-XUUC-N14 R-CDFP-F14
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE
功能数量 3 3 3 3
输入次数 3 3 3 3
端子数量 14 14 14 14
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR UNSPECIFIED RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE FLATPACK UNCASED CHIP FLATPACK
传播延迟(tpd) 24 ns 24 ns 24 ns 24 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
端子形式 THROUGH-HOLE FLAT NO LEAD FLAT
端子位置 DUAL DUAL UPPER DUAL
Failed to attach to END device
我在烧写VxWorks镜像时,烧写完成后,启动就出现提示:muxDevload failed for device entry 0Failed to attach to END deviceAttaching interface lo0...donewdb Config:error configuring WDB communication interface.........WDB Comm T...
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