1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Micro Electronics |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | unknow |
最大集电极电流 (IC) | 1 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 15 |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 30 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 3 MHz |
TIP29A | TIP30B | TIP30A | |
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描述 | 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 | 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB | POWER TRANSISTOR |
厂商名称 | Micro Electronics | Micro Electronics | Micro Electronics |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | unknow | unknown | unknow |
最大集电极电流 (IC) | 1 A | 1 A | 1 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V | 80 V | 60 V |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 15 | 15 | 15 |
JEDEC-95代码 | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | NPN | PNP | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 30 W | 30 W | 30 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 3 MHz | 3 MHz | 3 MHz |
零件包装代码 | - | TO-220AB | TO-220AB |
针数 | - | 3 | 3 |
ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
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