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MB8508S064CE-100LDG

产品描述Synchronous DRAM Module, 8MX64, 8.5ns, CMOS, PDMA144, PLASTIC, DIMM-144
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文件大小368KB,共20页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MB8508S064CE-100LDG概述

Synchronous DRAM Module, 8MX64, 8.5ns, CMOS, PDMA144, PLASTIC, DIMM-144

MB8508S064CE-100LDG规格参数

参数名称属性值
厂商名称FUJITSU(富士通)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间8.5 ns
JESD-30 代码R-PDMA-N144
内存密度536870912 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX64
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL

MB8508S064CE-100LDG相似产品对比

MB8508S064CE-100LDG MB8508S064CE-100DG
描述 Synchronous DRAM Module, 8MX64, 8.5ns, CMOS, PDMA144, PLASTIC, DIMM-144 Synchronous DRAM Module, 8MX64, 8.5ns, CMOS, PDMA144, PLASTIC, DIMM-144
厂商名称 FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通)
Reach Compliance Code unknow unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 8.5 ns 8.5 ns
JESD-30 代码 R-PDMA-N144 R-PDMA-N144
内存密度 536870912 bi 536870912 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 64 64
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 144 144
字数 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 8MX64 8MX64
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL

 
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