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1N5444A

产品描述Variable Capacitance Diode, 12pF C(T), 30V, Silicon, DO-7
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小45KB,共1页
制造商International Semiconductor Inc
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1N5444A概述

Variable Capacitance Diode, 12pF C(T), 30V, Silicon, DO-7

1N5444A规格参数

参数名称属性值
厂商名称International Semiconductor Inc
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最小击穿电压30 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管电容容差10%
最小二极管电容比2.6
标称二极管电容12 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数400
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
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