Variable Capacitance Diode, 12pF C(T), 30V, Silicon, DO-7
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | International Semiconductor Inc |
包装说明 | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
最小击穿电压 | 30 V |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管电容容差 | 10% |
最小二极管电容比 | 2.6 |
标称二极管电容 | 12 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
JEDEC-95代码 | DO-7 |
JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
最大功率耗散 | 0.4 W |
认证状态 | Not Qualified |
最小质量因数 | 400 |
最大重复峰值反向电压 | 30 V |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
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