电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

1N4786C

产品描述Variable Capacitance Diode, 6.8pF C(T), 25V, Silicon, DO-7
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小156KB,共1页
制造商International Semiconductor Inc
下载文档 详细参数 全文预览

1N4786C概述

Variable Capacitance Diode, 6.8pF C(T), 25V, Silicon, DO-7

1N4786C规格参数

参数名称属性值
厂商名称International Semiconductor Inc
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH Q, LOW LEAKAGE
最小击穿电压25 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管电容容差2%
最小二极管电容比2.4
标称二极管电容6.8 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数15
最大重复峰值反向电压25 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 311  357  789  1174  1663 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved