电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

HA1920A

产品描述Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 6.8pF C(T), 30V, Silicon, Hyperabrupt
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小116KB,共2页
制造商Msi Electronics Inc
下载文档 详细参数 全文预览

HA1920A概述

Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 6.8pF C(T), 30V, Silicon, Hyperabrupt

HA1920A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Msi Electronics Inc
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH Q
最小击穿电压30 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管电容容差10%
最小二极管电容比3.8
标称二极管电容6.8 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数800
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流2e-8 µA
反向测试电压25 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
变容二极管分类HYPERABRUPT

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 115  515  786  1173  1327 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved