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1T250B-4M

产品描述Variable Capacitance Diode, High Frequency to Ultra High Frequency, 100pF C(T), 12V, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小60KB,共1页
制造商Msi Electronics Inc
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1T250B-4M概述

Variable Capacitance Diode, High Frequency to Ultra High Frequency, 100pF C(T), 12V, Silicon

1T250B-4M规格参数

参数名称属性值
厂商名称Msi Electronics Inc
包装说明R-PDSO-L2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性3% MATCHED SET OF FOUR DIODES
最小击穿电压12 V
配置SEPARATE, 4 ELEMENTS
二极管电容容差5%
最小二极管电容比7
标称二极管电容100 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码R-PDSO-L2
元件数量4
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最小质量因数75
最大反向电流0.01 µA
反向测试电压10 V
表面贴装YES
端子形式L BEND
端子位置DUAL
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