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1N5710B

产品描述Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 100pF C(T), 65V, Silicon, Abrupt
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小52KB,共1页
制造商Msi Electronics Inc
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1N5710B概述

Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 100pF C(T), 65V, Silicon, Abrupt

1N5710B规格参数

参数名称属性值
厂商名称Msi Electronics Inc
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性SUPER Q
最小击穿电压65 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管电容容差5%
最小二极管电容比3.2
标称二极管电容100 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数150
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向电流0.02 µA
反向测试电压60 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
变容二极管分类ABRUPT

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