Variable Capacitance Diode, 550pF C(T), 12V, Silicon, Hyperabrupt
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Msi Electronics Inc |
包装说明 | R-PDSO-N2 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
最小击穿电压 | 12 V |
配置 | SINGLE |
二极管电容容差 | 5% |
最小二极管电容比 | 14 |
标称二极管电容 | 550 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
JESD-30 代码 | R-PDSO-N2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
认证状态 | Not Qualified |
最小质量因数 | 200 |
最大重复峰值反向电压 | 10 V |
最大反向电流 | 1e-8 µA |
反向测试电压 | 10 V |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
变容二极管分类 | HYPERABRUPT |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved