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TX-GC1702-85

产品描述Variable Capacitance Diode, S Band, 1.2pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小105KB,共3页
制造商Lockheed Martin
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TX-GC1702-85概述

Variable Capacitance Diode, S Band, 1.2pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt

TX-GC1702-85规格参数

参数名称属性值
厂商名称Lockheed Martin
包装说明O-MEMW-N2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最小击穿电压60 V
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管电容容差10%
最小二极管电容比5
标称二极管电容1.2 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带S BAND
JESD-30 代码O-MEMW-N2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式MICROWAVE
认证状态Not Qualified
最小质量因数1800
最大反向电流0.02 µA
反向测试电压55 V
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置END
变容二极管分类ABRUPT
protel99中快捷键的使用
文章来源:调频酷站enter——选取或启动esc——放弃或取消f1——启动在线帮助窗口tab——启动浮动图件的属性窗口pgup——放大窗口显示比例pgdn——缩小窗口显示比例end——刷新屏幕del——删除点取的元件(1个)ctrl+del——删除选取的元件(2个或2个以上)x+a——取消所有被选取图件的选取状态x——将浮动图件左右翻转y——将浮动图件上下翻转space——将浮动图件旋转90度cr...
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