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TX-GC1503-36

产品描述Variable Capacitance Diode, X Band, 1.5pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小94KB,共3页
制造商Lockheed Martin
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TX-GC1503-36概述

Variable Capacitance Diode, X Band, 1.5pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt

TX-GC1503-36规格参数

参数名称属性值
厂商名称Lockheed Martin
包装说明O-MRMW-F2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最小击穿电压30 V
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管电容容差10%
最小二极管电容比3.5
标称二极管电容1.5 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带X BAND
JESD-30 代码O-MRMW-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式MICROWAVE
认证状态Not Qualified
最小质量因数3600
最大反向电流0.02 µA
反向测试电压25 V
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
变容二极管分类ABRUPT

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