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TX-1N5462C

产品描述Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 8.2pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小115KB,共3页
制造商Lockheed Martin
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TX-1N5462C概述

Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 8.2pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7

TX-1N5462C规格参数

参数名称属性值
厂商名称Lockheed Martin
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
最小击穿电压30 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管电容容差2%
最小二极管电容比2.8
标称二极管电容8.2 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数600
最大反向电流0.02 µA
反向测试电压25 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
变容二极管分类ABRUPT
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