TX-1N4806D,TX-1N4806D pdf中文资料,TX-1N4806D引脚图,TX-1N4806D电路-Datasheet-电子工程世界

TX-1N4806D: 产品描述Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 18pF C(T), 99V, Silicon, Abrupt, DO-14; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小59KB，共1页; 制造商Lockheed Martin

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TX-1N4806D概述

Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 18pF C(T), 99V, Silicon, Abrupt, DO-14

参数名称	属性值
厂商名称	Lockheed Martin
包装说明	O-LALF-W2
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
最小击穿电压	99 V
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管电容容差	1%
最小二极管电容比	3.94
标称二极管电容	18 pF
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带	VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JEDEC-95代码	DO-14
JESD-30 代码	O-LALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大功率耗散	0.5 W
认证状态	Not Qualified
最小质量因数	15
最大反向电流	0.005 µA
反向测试电压	90 V
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
变容二极管分类	ABRUPT

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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