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GM71C256A-70

产品描述Fast Page DRAM, 256KX1, 70ns, CMOS, PDIP16,
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文件大小400KB,共19页
制造商Goldstar Electron Co Ltd
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GM71C256A-70概述

Fast Page DRAM, 256KX1, 70ns, CMOS, PDIP16,

GM71C256A-70规格参数

参数名称属性值
厂商名称Goldstar Electron Co Ltd
Reach Compliance Codeunknow
访问模式FAST PAGE
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-PDIP-T16
内存密度262144 bi
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量16
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
刷新周期256
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL

GM71C256A-70相似产品对比

GM71C256A-70 GM71C256A-10 GM71C256A-80
描述 Fast Page DRAM, 256KX1, 70ns, CMOS, PDIP16, Fast Page DRAM, 256KX1, 100ns, CMOS, PDIP16, Fast Page DRAM, 256KX1, 80ns, CMOS, PDIP16,
Reach Compliance Code unknow unknown unknown
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 70 ns 100 ns 80 ns
其他特性 RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-PDIP-T16 R-PDIP-T16 R-PDIP-T16
内存密度 262144 bi 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 1 1 1
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 16 16 16
字数 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX1 256KX1 256KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 256 256 256
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL
厂商名称 Goldstar Electron Co Ltd - Goldstar Electron Co Ltd

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