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1N35: 产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.023A, 50V V(RRM), Germanium,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小868KB，共26页; 制造商Bkc Semiconductors Inc

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1N35概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.023A, 50V V(RRM), Germanium,

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Bkc Semiconductors Inc
Reach Compliance Code	unknow
其他特性	METALLURGICALLY BONDED, LOW NOISE
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	GERMANIUM
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
JESD-30 代码	O-XALF-W2
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	0.1 A
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	75 °C
最大输出电流	0.023 A
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
最大功率耗散	0.08 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	50 V
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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