UVPROM, 256KX8, 200ns, CMOS, CDIP32, WINDOWED, CERDIP-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | WDIP, |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 200 ns |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T32 |
| 长度 | 42.165 mm |
| 内存密度 | 2097152 bi |
| 内存集成电路类型 | UVPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 256KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | WDIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.72 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 15.24 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 27C020-200V10 | N27C020-200V10 | P27C020-200V10 | 27C020-150V10 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | UVPROM, 256KX8, 200ns, CMOS, CDIP32, WINDOWED, CERDIP-32 | OTP ROM, 256KX8, 200ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | OTP ROM, 256KX8, 200ns, CMOS, PDIP32, DIP-32 | UVPROM, 256KX8, 150ns, CMOS, CDIP32, WINDOWED, CERDIP-32 |
| 零件包装代码 | DIP | QFJ | DIP | DIP |
| 包装说明 | WDIP, | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | DIP-32 | WDIP, |
| 针数 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| Reach Compliance Code | compli | compli | unknow | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 200 ns | 200 ns | 200 ns | 150 ns |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T32 | R-PQCC-J32 | R-PDIP-T32 | R-GDIP-T32 |
| 长度 | 42.165 mm | 13.97 mm | 41.91 mm | 42.165 mm |
| 内存密度 | 2097152 bi | 2097152 bi | 2097152 bi | 2097152 bi |
| 内存集成电路类型 | UVPROM | OTP ROM | OTP ROM | UVPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 256KX8 | 256KX8 | 256KX8 | 256KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | WDIP | QCCJ | DIP | WDIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE, WINDOW | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.72 mm | 3.55 mm | 4.83 mm | 5.72 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | J BEND | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 15.24 mm | 11.43 mm | 15.24 mm | 15.24 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
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