Standard SRAM, 64KX1, 30ns, CMOS, CDIP22,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Inmos Corporation |
Reach Compliance Code | unknow |
最长访问时间 | 30 ns |
I/O 类型 | SEPARATE |
JESD-30 代码 | R-XDIP-T22 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 65536 bi |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 1 |
端子数量 | 22 |
字数 | 65536 words |
字数代码 | 64000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 64KX1 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP22,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.014 A |
最小待机电流 | 4.5 V |
最大压摆率 | 0.077 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved