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21F02B

产品描述Standard SRAM, 1KX1, 350ns, NMOS, PDIP16
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文件大小50KB,共2页
制造商Signetics
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21F02B概述

Standard SRAM, 1KX1, 350ns, NMOS, PDIP16

21F02B规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间350 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T16
内存密度1024 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量16
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1KX1
可输出NO
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术NMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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