25C640-E/PG,25C640-E/PG pdf中文资料,25C640-E/PG引脚图,25C640-E/PG电路-Datasheet-电子工程世界

25C640-E/PG: 产品描述8K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8; 产品类别存储存储; 文件大小402KB，共12页; 制造商Microchip(微芯科技); 官网地址https://www.microchip.com; 标准

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25C640-E/PG概述

8K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	DIP
包装说明	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
针数	8
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	DATA RETENTION > 200 YEARS; 4KV ESD PROTECTION; 1M ENDURANCE CYCLES
最大时钟频率 (fCLK)	3 MHz
数据保留时间-最小值	200
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e3
长度	9.4 mm
内存密度	65536 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	8KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.06 mm
串行总线类型	SPI
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms
Base Number Matches	1

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