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28C256-25I/D

产品描述32K X 8 EEPROM 5V, 250 ns, CDIP28, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
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文件大小296KB,共8页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
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28C256-25I/D概述

32K X 8 EEPROM 5V, 250 ns, CDIP28, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28

28C256-25I/D规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
针数28
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最长访问时间250 ns
其他特性AUTOMATIC WRITE
命令用户界面NO
数据轮询YES
耐久性10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-CDIP-T28
JESD-609代码e0
长度35.56 mm
内存密度262144 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
页面大小64 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.064 mm
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
宽度15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)2 ms
Base Number Matches1
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