Small Signal Field-Effect Transistor
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Nexperia |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code | compli |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.74 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.44 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 6 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 934057728115 | PMGD370XN | |
|---|---|---|
| 描述 | Small Signal Field-Effect Transistor | Small Signal Field-Effect Transistor |
| 厂商名称 | Nexperia | Nexperia |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | SC-88, 6 PIN |
| Reach Compliance Code | compli | compliant |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 30 V | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.74 A | 0.74 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.44 Ω | 0.44 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 | R-PDSO-G6 |
| 元件数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 6 | 6 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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