IDT7112412Y,IDT7112412Y pdf中文资料,IDT7112412Y引脚图,IDT7112412Y电路-Datasheet-电子工程世界

IDT7112412Y: 产品描述Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32; 产品类别存储存储; 文件大小460KB，共8页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT7112412Y概述

Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

IDT7112412Y规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ,
针数	32
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	12 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J32
JESD-609代码	e0
长度	20.955 mm
内存密度	1048576 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.683 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	10.16 mm

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描述	Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
包装说明	SOJ,	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
针数	32	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	compli	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
最长访问时间	12 ns	12 ns	15 ns	15 ns	20 ns	20 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32	R-PDSO-J32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	20.955 mm	20.955 mm	20.955 mm	20.955 mm	20.955 mm	20.955 mm
内存密度	1048576 bi	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225	225	225
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.683 mm	3.683 mm	3.683 mm	3.683 mm	3.683 mm	3.683 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm

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