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IDT70V908S25PF

产品描述Dual-Port SRAM, 64KX8, 25ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
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文件大小176KB,共14页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V908S25PF概述

Dual-Port SRAM, 64KX8, 25ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

IDT70V908S25PF规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明TQFP-100
针数100
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最长访问时间25 ns
其他特性AUTOMATIC POWER DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度14 mm
内存密度524288 bi
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量100
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装等效代码QFP100,.63SQ,20
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大待机电流0.005 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm

IDT70V908S25PF相似产品对比

IDT70V908S25PF IDT70V908S30PF IDT70V908L30PF IDT70V908L25PF
描述 Dual-Port SRAM, 64KX8, 25ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 64KX8, 30ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 64KX8, 30ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 64KX8, 25ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 QFP QFP QFP QFP
包装说明 TQFP-100 TQFP-100 LFQFP, QFP100,.63SQ,20 TQFP-100
针数 100 100 100 100
Reach Compliance Code _compli not_compliant _compli not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 25 ns 30 ns 30 ns 25 ns
其他特性 AUTOMATIC POWER DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE; SELF TIMED WRITE
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-PQFP-G100 S-PQFP-G100 S-PQFP-G100 S-PQFP-G100
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
内存密度 524288 bi 524288 bit 524288 bi 524288 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 8 8 8 8
湿度敏感等级 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1
端口数量 2 2 2 2
端子数量 100 100 100 100
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFQFP LFQFP LFQFP LFQFP
封装等效代码 QFP100,.63SQ,20 QFP100,.63SQ,20 QFP100,.63SQ,20 QFP100,.63SQ,20
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 240 240 240
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm
最大待机电流 0.005 A 0.005 A 0.003 A 0.003 A
最小待机电流 3 V 3 V 3 V 3 V
最大压摆率 0.22 mA 0.21 mA 0.175 mA 0.185 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20 20 20
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
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