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7012L35P

产品描述Multi-Port SRAM, 2KX9, 35ns, CMOS, PDIP48
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文件大小413KB,共8页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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7012L35P概述

Multi-Port SRAM, 2KX9, 35ns, CMOS, PDIP48

7012L35P规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code_compli
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T48
JESD-609代码e0
内存密度18432 bi
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度9
端口数量2
端子数量48
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2KX9
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP48,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0015 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.18 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
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