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GVT7432C9T-8

产品描述Multi-Port SRAM, 32KX9, 11ns, CMOS, PQFP100
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文件大小141KB,共21页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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GVT7432C9T-8概述

Multi-Port SRAM, 32KX9, 11ns, CMOS, PQFP100

GVT7432C9T-8规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
Reach Compliance Codecompli
最长访问时间11 ns
最大时钟频率 (fCLK)125 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQFP-G100
JESD-609代码e0
内存密度294912 bi
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度9
端口数量2
端子数量100
字数32768 words
字数代码32000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX9
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QFP
封装等效代码QFP100,.63SQ,20
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.01 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.45 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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