Standard SRAM, 64KX18, 20ns, CMOS, PDSO44
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
包装说明 | SOJ-44 |
Reach Compliance Code | compli |
最长访问时间 | 20 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-J44 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 28.6 mm |
内存密度 | 1179648 bi |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 18 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 44 |
字数 | 65536 words |
字数代码 | 64000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 64KX18 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOJ |
封装等效代码 | SOJ44,.44 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 3.76 mm |
最大待机电流 | 0.0005 A |
最小待机电流 | 2 V |
最大压摆率 | 0.18 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 10.16 mm |
GVT7264A18J-20LI | GVT7264A18J-10LI | GVT7264A18J-12 | GVT7264A18J-15I | GVT7264A18TS-10I | |
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描述 | Standard SRAM, 64KX18, 20ns, CMOS, PDSO44 | Standard SRAM, 64KX18, 10ns, CMOS, PDSO44 | Standard SRAM, 64KX18, 12ns, CMOS, PDSO44 | Standard SRAM, 64KX18, 15ns, CMOS, PDSO44 | Standard SRAM, 64KX18, 10ns, CMOS, PDSO44 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) |
包装说明 | SOJ-44 | SOJ-44 | SOJ-44 | SOJ-44 | TSOP-44 |
Reach Compliance Code | compli | compliant | compliant | compliant | compliant |
最长访问时间 | 20 ns | - | 12 ns | - | 10 ns |
I/O 类型 | COMMON | - | COMMON | - | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-J44 | - | R-PDSO-J44 | - | R-PDSO-G44 |
JESD-609代码 | e0 | - | e0 | - | e0 |
长度 | 28.6 mm | - | 28.6 mm | - | 18.56 mm |
内存密度 | 1179648 bi | - | 1179648 bit | - | 1179648 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | - | STANDARD SRAM | - | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 18 | - | 18 | - | 18 |
功能数量 | 1 | - | 1 | - | 1 |
端子数量 | 44 | - | 44 | - | 44 |
字数 | 65536 words | - | 65536 words | - | 65536 words |
字数代码 | 64000 | - | 64000 | - | 64000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | - | 70 °C | - | 85 °C |
组织 | 64KX18 | - | 64KX18 | - | 64KX18 |
输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE | - | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOJ | - | SOJ | - | TSOP2 |
封装等效代码 | SOJ44,.44 | - | SOJ44,.44 | - | TSOP44,.46,32 |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL | - | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V | - | 5 V | - | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | - | Not Qualified |
座面最大高度 | 3.76 mm | - | 3.76 mm | - | 1.2 mm |
最大待机电流 | 0.0005 A | - | 0.005 A | - | 0.005 A |
最小待机电流 | 2 V | - | 4.5 V | - | 4.5 V |
最大压摆率 | 0.18 mA | - | 0.33 mA | - | 0.38 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | - | 5.5 V | - | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | - | 4.5 V | - | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | - | 5 V | - | 5 V |
表面贴装 | YES | - | YES | - | YES |
技术 | CMOS | - | CMOS | - | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | - | COMMERCIAL | - | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND | - | J BEND | - | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm | - | 1.27 mm | - | 0.8 mm |
端子位置 | DUAL | - | DUAL | - | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
宽度 | 10.16 mm | - | 10.16 mm | - | 10.16 mm |
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