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GVT71256E18B-9

产品描述Standard SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
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文件大小282KB,共16页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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GVT71256E18B-9概述

Standard SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119

GVT71256E18B-9规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码BGA
包装说明14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
针数119
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间8.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)90 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
长度22 mm
内存密度4718592 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量119
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.4 mm
最大待机电流0.01 A
最小待机电流3.14 V
最大压摆率0.29 mA
最大供电电压 (Vsup)3.63 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm

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描述 Standard SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 Standard SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 Standard SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 Standard SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 Standard SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 Standard SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 Standard SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 Standard SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 BGA BGA QFP QFP QFP BGA BGA BGA
包装说明 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-119
针数 119 119 100 100 100 119 119 119
Reach Compliance Code compli compliant not_compliant compliant not_compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 8.5 ns 8 ns 8 ns 7.5 ns 7.5 ns 7.5 ns 7.5 ns 8 ns
其他特性 FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK) 90 MHz 100 MHz 100 MHz 117 MHz 117 MHz 117 MHz 117 MHz 100 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119 R-PBGA-B119
长度 22 mm 22 mm 20 mm 20 mm 20 mm 22 mm 22 mm 22 mm
内存密度 4718592 bi 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit 4718592 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 18 18 18 18 18 18 18 18
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 119 119 100 100 100 119 119 119
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000 256000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX18 256KX18 256KX18 256KX18 256KX18 256KX18 256KX18 256KX18
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA LQFP LQFP LQFP BGA BGA BGA
封装等效代码 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 QFP100,.63X.87 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50 BGA119,7X17,50
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 NOT SPECIFIED 225 225 225 NOT SPECIFIED 225 225
电源 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 2.4 mm 2.4 mm 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm 2.4 mm 2.4 mm 2.4 mm
最大待机电流 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A 0.01 A
最小待机电流 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V 3.14 V
最大压摆率 0.29 mA 0.32 mA 0.32 mA 0.37 mA 0.37 mA 0.37 mA 0.37 mA 0.32 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V 3.63 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 BALL BALL GULL WING GULL WING GULL WING BALL BALL BALL
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 0.65 mm 0.65 mm 0.65 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM QUAD QUAD QUAD BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30 30 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
厂商名称 Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) - Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯)
湿度敏感等级 1 - 3 3 3 - 1 1
JESD-609代码 - e0 e0 e0 e0 e0 - -
端子面层 - TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD (800) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD - -
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