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W3EG7266S335BD4IG

产品描述DDR DRAM Module, 64MX72, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200
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文件大小191KB,共13页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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W3EG7266S335BD4IG概述

DDR DRAM Module, 64MX72, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM-200

W3EG7266S335BD4IG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码MODULE
包装说明DIMM,
针数200
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N200
内存密度4831838208 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX72
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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