02015K4R7FATTR,02015K4R7FATTR pdf中文资料,02015K4R7FATTR引脚图,02015K4R7FATTR电路-Datasheet-电子工程世界

02015K4R7FATTR: 产品描述CAPACITOR, FILM/FOIL, SILICON DIOXIDE AND NITRIDE, 25 V, 0.0000004 uF, SURFACE MOUNT, 0201; 产品类别无源元件; 文件大小461KB，共20页; 制造商AVX

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02015K4R7FATTR概述

CAPACITOR, FILM/FOIL, SILICON DIOXIDE AND NITRIDE, 25 V, 0.0000004 uF, SURFACE MOUNT, 0201

电容, 薄膜/FOIL, 二氧化硅和氮化, 25 V, 0.0000004 uF, 表面贴装, 0201

参数名称	属性值
负偏差	5 %
最小工作温度	-55 Cel
最大工作温度	125 Cel
正偏差	5 %
额定直流电压urdc	25 V
加工封装描述	CHIP, ROHS COMPLIANT
each_compli	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
中国RoHS规范	Yes
状态	Active
电容类型	FILM CAPACITOR
电容	4.00E-7 µF
电介质材料	SILICON DIOXIDE AND NITRIDE
jesd_609_code	e3
制造商系列	0201
安装特点	SURFACE MOUNT
包装形状	RECTANGULAR PACKAGE
包装尺寸	SMT
cking_method	TR, 7/13 INCH
series	SIZE(ACCU-P)
尺寸编码	0201
温度系数	-/+30ppm/Cel
端子涂层	TIN OVER NICKEL
端子形状	WRAPAROUND
heigh	0.2250 mm
length	0.6000 mm
width	0.3250 mm
dditional_feature	CAPACITANCE TOLERANCE IS 0.02 PICO FARAD

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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