W27C257-12,W27C257-12 pdf中文资料,W27C257-12引脚图,W27C257-12电路-Datasheet-电子工程世界

W27C257-12: 产品描述EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH,PLASTIC, DIP-28; 产品类别存储存储; 文件大小148KB，共14页; 制造商Winbond(华邦电子); 官网地址http://www.winbond.com.tw

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W27C257-12概述

EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH,PLASTIC, DIP-28

W27C257-12规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Winbond(华邦电子)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	28
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	120 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T28
JESD-609代码	e0
长度	37.08 mm
内存密度	262144 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	28
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
编程电压	12 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.33 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm

W27C257-12相似产品对比

	W27C257-12	W27C257P-12	W27C257-10	W27C257P-10
描述	EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH,PLASTIC, DIP-28	EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32	EEPROM, 32KX8, 100ns, Parallel, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH,PLASTIC, DIP-28	EEPROM, 32KX8, 100ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Winbond(华邦电子)	Winbond(华邦电子)	Winbond(华邦电子)	Winbond(华邦电子)
零件包装代码	DIP	QFJ	DIP	QFJ
包装说明	DIP,	QCCJ,	DIP,	QCCJ,
针数	28	32	28	32
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	120 ns	120 ns	100 ns	100 ns
JESD-30 代码	R-PDIP-T28	R-PQCC-J32	R-PDIP-T28	R-PQCC-J32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	37.08 mm	13.97 mm	37.08 mm	13.97 mm
内存密度	262144 bi	262144 bit	262144 bit	262144 bi
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端子数量	28	32	28	32
字数	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	32000	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	QCCJ	DIP	QCCJ
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	225	NOT SPECIFIED	225
编程电压	12 V	12 V	12 V	12 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.33 mm	3.56 mm	5.33 mm	3.56 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE	J BEND	THROUGH-HOLE	J BEND
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	QUAD	DUAL	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	30	NOT SPECIFIED	30
宽度	15.24 mm	11.43 mm	15.24 mm	11.43 mm

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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