02011K680QBTTR,02011K680QBTTR pdf中文资料,02011K680QBTTR引脚图,02011K680QBTTR电路-Datasheet-电子工程世界

02011K680QBTTR: 产品描述CAPACITOR, FILM/FOIL, SILICON DIOXIDE AND NITRIDE, 25 V, 0.0000004 uF, SURFACE MOUNT, 0201; 产品类别无源元件; 文件大小461KB，共20页; 制造商AVX

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02011K680QBTTR概述

CAPACITOR, FILM/FOIL, SILICON DIOXIDE AND NITRIDE, 25 V, 0.0000004 uF, SURFACE MOUNT, 0201

电容, 薄膜/FOIL, 二氧化硅和氮化, 25 V, 0.0000004 uF, 表面贴装, 0201

参数名称	属性值
负偏差	5 %
最小工作温度	-55 Cel
最大工作温度	125 Cel
正偏差	5 %
额定直流电压urdc	25 V
加工封装描述	CHIP, ROHS COMPLIANT
each_compli	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
中国RoHS规范	Yes
状态	Active
电容类型	FILM CAPACITOR
电容	4.00E-7 µF
电介质材料	SILICON DIOXIDE AND NITRIDE
jesd_609_code	e3
制造商系列	0201
安装特点	SURFACE MOUNT
包装形状	RECTANGULAR PACKAGE
包装尺寸	SMT
cking_method	TR, 7/13 INCH
series	SIZE(ACCU-P)
尺寸编码	0201
温度系数	-/+30ppm/Cel
端子涂层	TIN OVER NICKEL
端子形状	WRAPAROUND
heigh	0.2250 mm
length	0.6000 mm
width	0.3250 mm
dditional_feature	CAPACITANCE TOLERANCE IS 0.02 PICO FARAD

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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