02011J8R2FBTTR,02011J8R2FBTTR pdf中文资料,02011J8R2FBTTR引脚图,02011J8R2FBTTR电路-Datasheet-电子工程世界

02011J8R2FBTTR: 产品描述CAPACITOR, FILM/FOIL, SILICON DIOXIDE AND NITRIDE, 25 V, 0.0000004 uF, SURFACE MOUNT, 0201; 产品类别无源元件; 文件大小461KB，共20页; 制造商AVX

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02011J8R2FBTTR概述

CAPACITOR, FILM/FOIL, SILICON DIOXIDE AND NITRIDE, 25 V, 0.0000004 uF, SURFACE MOUNT, 0201

电容, 薄膜/FOIL, 二氧化硅和氮化, 25 V, 0.0000004 uF, 表面贴装, 0201

参数名称	属性值
负偏差	5 %
最小工作温度	-55 Cel
最大工作温度	125 Cel
正偏差	5 %
额定直流电压urdc	25 V
加工封装描述	CHIP, ROHS COMPLIANT
each_compli	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
中国RoHS规范	Yes
状态	Active
电容类型	FILM CAPACITOR
电容	4.00E-7 µF
电介质材料	SILICON DIOXIDE AND NITRIDE
jesd_609_code	e3
制造商系列	0201
安装特点	SURFACE MOUNT
包装形状	RECTANGULAR PACKAGE
包装尺寸	SMT
cking_method	TR, 7/13 INCH
series	SIZE(ACCU-P)
尺寸编码	0201
温度系数	-/+30ppm/Cel
端子涂层	TIN OVER NICKEL
端子形状	WRAPAROUND
heigh	0.2250 mm
length	0.6000 mm
width	0.3250 mm
dditional_feature	CAPACITANCE TOLERANCE IS 0.02 PICO FARAD

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