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MAX8552ETB+

产品描述Half Bridge Based MOSFET Driver, BICMOS, 3 X 3 MM, MO-229WEED-3, TDFN-10
产品类别模拟混合信号IC    驱动程序和接口   
文件大小187KB,共11页
制造商Maxim(美信半导体)
官网地址https://www.maximintegrated.com/en.html
标准  
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MAX8552ETB+概述

Half Bridge Based MOSFET Driver, BICMOS, 3 X 3 MM, MO-229WEED-3, TDFN-10

MAX8552ETB+规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Maxim(美信半导体)
零件包装代码SON
包装说明HVSON,
针数10
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
高边驱动器YES
接口集成电路类型HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码S-XDSO-N10
JESD-609代码e3
长度3 mm
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量10
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码HVSON
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度0.8 mm
最大供电电压6.5 V
最小供电电压4.5 V
标称供电电压5 V
表面贴装YES
技术BICMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3 mm
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