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VE16418165BJS-6

产品描述EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, MOS, DIMM-168
产品类别存储    存储   
文件大小537KB,共17页
制造商Vanguard International Semiconductor Corporation
官网地址http://www.vis.com.tw/
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VE16418165BJS-6概述

EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, MOS, DIMM-168

VE16418165BJS-6规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vanguard International Semiconductor Corporation
零件包装代码DIMM
包装说明,
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度32
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
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