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TC59LM913AMB-55

产品描述IC 32M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA64, 13 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-64, Dynamic RAM
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文件大小579KB,共50页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TC59LM913AMB-55概述

IC 32M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA64, 13 X 17 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-64, Dynamic RAM

TC59LM913AMB-55规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码BGA
包装说明TBGA,
针数64
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.75 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B64
JESD-609代码e0
长度16.5 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量64
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织32MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.65 V
最小供电电压 (Vsup)2.35 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术MOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度12.7 mm

 
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