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TMS28F800AEYB12CDCDQ

产品描述IC 1M X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP-40, Programmable ROM
产品类别存储    存储   
文件大小691KB,共52页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数

TMS28F800AEYB12CDCDQ概述

IC 1M X 8 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP-40, Programmable ROM

TMS28F800AEYB12CDCDQ规格参数

参数名称属性值
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码TSOP
包装说明TSSOP,
针数40
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
其他特性BOTTOM BOOT BLOCK
启动块BOTTOM
JESD-30 代码R-PDSO-G40
长度18.4 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量40
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
编程电压5 V
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
宽度10 mm
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