SMJ44C250-1JDM概述

256KX4 VIDEO DRAM, 100ns, CDIP28, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28

SMJ44C250-1JDM规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP28,.4
针数	28
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	100 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 4 SAM PORT
JESD-30 代码	R-CDIP-T28
长度	36.83 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	VIDEO DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	28
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	256KX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP28,.4
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	512
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度	4.445 mm
最大待机电流	0.015 A
最大压摆率	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm

SMJ44C250-1JDM相似产品对比

	SMJ44C250-1JDM	SMJ44C250-2HJM	SMJ44C250-2JDM	SMJ44C250-1HJM
描述	256KX4 VIDEO DRAM, 100ns, CDIP28, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28	256KX4 VIDEO DRAM, 120ns, CDSO28, 0.400 INCH, CERAMIC, SOJ-28	256KX4 VIDEO DRAM, 120ns, CDIP28, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28	256KX4 VIDEO DRAM, 100ns, CDSO28, 0.400 INCH, CERAMIC, SOJ-28
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	DIP	SOJ	DIP	SOJ
包装说明	DIP, DIP28,.4	SOJ, SOJ28,.44	DIP, DIP28,.4	SOJ, SOJ28,.44
针数	28	28	28	28
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	_compli	_compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	100 ns	120 ns	120 ns	100 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 4 SAM PORT	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 4 SAM PORT	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 4 SAM PORT	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH; 512 X 4 SAM PORT
JESD-30 代码	R-CDIP-T28	R-CDSO-J28	R-CDIP-T28	R-CDSO-J28
长度	36.83 mm	18.542 mm	36.83 mm	18.542 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bi	1048576 bi
内存集成电路类型	VIDEO DRAM	VIDEO DRAM	VIDEO DRAM	VIDEO DRAM
内存宽度	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1
端口数量	2	2	2	2
端子数量	28	28	28	28
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	256KX4	256KX4	256KX4	256KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	SOJ	DIP	SOJ
封装等效代码	DIP28,.4	SOJ28,.44	DIP28,.4	SOJ28,.44
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	512	512	512	512
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度	4.445 mm	4.521 mm	4.445 mm	4.521 mm
最大待机电流	0.015 A	0.015 A	0.015 A	0.015 A
最大压摆率	0.11 mA	0.1 mA	0.1 mA	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V	5.25 V	5.25 V	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V	4.75 V	4.75 V	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE	J BEND	THROUGH-HOLE	J BEND
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm	10.541 mm	10.16 mm	10.541 mm

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