电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

VN0116N3

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 160V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小202KB,共4页
制造商Supertex
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

VN0116N3概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 160V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92

VN0116N3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Supertex
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压160 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.25 A
最大漏极电流 (ID)0.25 A
最大漏源导通电阻15 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)8 pF
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

VN0116N3相似产品对比

VN0116N3 VN0116ND VN0120N5 VN0116N2
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 160V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 Small Signal Field-Effect Transistor, 160V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3 Power Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 200V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN Small Signal Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 160V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 UNCASED CHIP, S-XUUC-N3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 160 V 160 V 200 V 160 V
最大漏源导通电阻 15 Ω 15 Ω 10 Ω 15 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 8 pF 8 pF 8 pF 8 pF
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 S-XUUC-N3 R-PSFM-T3 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY METAL
封装形状 ROUND SQUARE RECTANGULAR ROUND
封装形式 CYLINDRICAL UNCASED CHIP FLANGE MOUNT CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE WIRE
端子位置 BOTTOM UPPER SINGLE BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Supertex - Supertex Supertex
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.25 A - 0.7 A 0.35 A
最大漏极电流 (ID) 0.25 A - 0.7 A 0.35 A
JEDEC-95代码 TO-92 - TO-220AB TO-39
最大功率耗散 (Abs) 1 W - 15 W 3.5 W

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 234  382  1268  1311  1477 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved