K6R4008V1C-JC20,K6R4008V1C-JC20 pdf中文资料,K6R4008V1C-JC20引脚图,K6R4008V1C-JC20电路-Datasheet-电子工程世界

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K6R4008V1C-JC20: 产品描述Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36; 产品类别存储存储; 文件大小190KB，共9页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K6R4008V1C-JC20概述

Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36

K6R4008V1C-JC20规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ, SOJ36,.44
针数	36
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	20 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J36
JESD-609代码	e0
长度	23.5 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	36
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ36,.44
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.76 mm
最大待机电流	0.01 A
最小待机电流	3 V
最大压摆率	0.125 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm

K6R4008V1C-JC20相似产品对比

	K6R4008V1C-JC20	K6R4008V1C-JI20	K6R4008V1C-TI20	K6R4008V1C-TC20
描述	Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36	Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36	Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44	Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	SOJ	SOJ	TSOP2	TSOP2
包装说明	SOJ, SOJ36,.44	SOJ, SOJ36,.44	TSOP2, TSOP44,.46,32	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数	36	36	44	44
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	20 ns	20 ns	20 ns	20 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J36	R-PDSO-J36	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	23.5 mm	23.5 mm	18.41 mm	18.41 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端子数量	36	36	44	44
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	SOJ36,.44	SOJ36,.44	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.76 mm	3.76 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.01 A	0.01 A	0.01 A	0.01 A
最小待机电流	3 V	3 V	3 V	3 V
最大压摆率	0.125 mA	0.14 mA	0.14 mA	0.125 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	J BEND	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm

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