MEMORY MODULE,DRAM,STATIC COL,1MX(8+1),CMOS,SIP,30PIN,PLASTIC
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 | SIMM |
包装说明 | , |
针数 | 30 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | STATIC COLUMN |
最长访问时间 | 80 ns |
其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
JESD-30 代码 | R-XSMA-T30 |
内存密度 | 9437184 bit |
内存集成电路类型 | DRAM MODULE |
内存宽度 | 9 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 30 |
字数 | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 1MX9 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 512 |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
MC-421000C9A-80 | MC-421000C9B-12 | |
---|---|---|
描述 | MEMORY MODULE,DRAM,STATIC COL,1MX(8+1),CMOS,SIP,30PIN,PLASTIC | MEMORY MODULE,DRAM,STATIC COL,1MX(8+1),CMOS,SIM,30PIN,PLASTIC |
厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) |
零件包装代码 | SIMM | SIMM |
针数 | 30 | 30 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | STATIC COLUMN | STATIC COLUMN |
最长访问时间 | 80 ns | 120 ns |
其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
JESD-30 代码 | R-XSMA-T30 | R-XSMA-N30 |
内存密度 | 9437184 bit | 9437184 bit |
内存集成电路类型 | DRAM MODULE | DRAM MODULE |
内存宽度 | 9 | 9 |
功能数量 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 30 | 30 |
字数 | 1048576 words | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 | 1000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
组织 | 1MX9 | 1MX9 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 512 | 512 |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
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