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MPSA18-18

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小135KB,共4页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MPSA18-18概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

MPSA18-18规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.2 A
基于收集器的最大容量3 pF
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)500
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值1.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)160 MHz
VCEsat-Max0.3 V

MPSA18-18相似产品对比

MPSA18-18 MPSA18-5
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOW NOISE LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A
基于收集器的最大容量 3 pF 3 pF
集电极-发射极最大电压 45 V 45 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 500 500
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN
功耗环境最大值 1.5 W 1.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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