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MCM511002AP70

产品描述1MX1 STATIC COLUMN DRAM, 70ns, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18
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文件大小494KB,共15页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MCM511002AP70概述

1MX1 STATIC COLUMN DRAM, 70ns, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18

MCM511002AP70规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP18,.3
针数18
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式STATIC COLUMN
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDIP-T18
JESD-609代码e0
长度22.1 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STATIC COLUMN DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量18
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
座面最大高度4.57 mm
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度7.62 mm

MCM511002AP70相似产品对比

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描述 1MX1 STATIC COLUMN DRAM, 70ns, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18 1MX1 STATIC COLUMN DRAM, 100ns, PZIP20, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, ZIP-20 1MX1 STATIC COLUMN DRAM, 80ns, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18 1MX1 STATIC COLUMN DRAM, 100ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-20 1MX1 STATIC COLUMN DRAM, 80ns, PZIP20, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, ZIP-20
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 DIP, DIP18,.3 2.54 MM PITCH, PLASTIC, ZIP-20 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-20 2.54 MM PITCH, PLASTIC, ZIP-20
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 STATIC COLUMN STATIC COLUMN STATIC COLUMN STATIC COLUMN STATIC COLUMN
最长访问时间 70 ns 100 ns 80 ns 100 ns 80 ns
其他特性 RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDIP-T18 R-PZIP-T20 R-PDIP-T18 R-PDSO-J20 R-PZIP-T20
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
长度 22.1 mm 25.715 mm 22.1 mm 17.145 mm 25.715 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM
内存宽度 1 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1
端子数量 18 20 18 20 20
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1 1MX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP ZIP DIP SOJ ZIP
封装等效代码 DIP18,.3 ZIP20,.1 DIP18,.3 SOJ20/26,.34 ZIP20,.1
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512 512 512 512
座面最大高度 4.57 mm 10.16 mm 4.57 mm 3.75 mm 10.16 mm
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.08 mA 0.06 mA 0.07 mA 0.06 mA 0.07 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL ZIG-ZAG DUAL DUAL ZIG-ZAG
宽度 7.62 mm 2.85 mm 7.62 mm 7.62 mm 2.85 mm
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合 不符合
Base Number Matches - 1 1 1 -
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