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IRF620T

产品描述Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小67KB,共2页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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IRF620T概述

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IRF620T规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)5 A
最大漏源导通电阻0.8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值40 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON

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