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W3HG128M72AEF665F1SCG

产品描述DDR DRAM Module, 256MX4, CMOS, ROHS COMPLIANT, FBDIMM-240
产品类别存储    存储   
文件大小257KB,共17页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准  
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W3HG128M72AEF665F1SCG概述

DDR DRAM Module, 256MX4, CMOS, ROHS COMPLIANT, FBDIMM-240

W3HG128M72AEF665F1SCG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM,
针数240
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
其他特性SELF CONTAINED REFRESH; WD-MAX
JESD-30 代码R-XDMA-N240
JESD-609代码e4
长度133.35 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量240
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织256MX4
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度30.5 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Gold (Au)
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.14 mm
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